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ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备

  1. 来源:大半导体产业网
  2. 发布时间:2024-6-28
  3. 浏览次数:71

据韩媒报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。

据悉,美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E,该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

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