7月19日，矽能科技举办了第五期“芯沙龙”活动，在这期芯沙龙上，中国功率半导体学界的领军人物-电子科技大学功率集成技术实验室主任张波教授到现场进行了演讲，同时，矽能科技孵化器的第一家入孵企业—蓝矽科技荣耀发布了新一代具有先进水平的功率产品BlueMOS，这标志着矽能科技朝“打造中国最优质功率半导体培育中心”的目标迈进了重要一步。成都矽能科技董事长David French与蓝矽科技CEO 陈钧权为新产品揭幕，矽能科技总经理白杰先致开幕辞，成都市集成电路行业协会秘书长蒋军及McCoy Holdings Pte 、Progate Technology 、无锡华润华晶微电子、晓龙国际、中明科技、光大资本等矽能科技、蓝矽科技的合作伙伴企业，半导体业界相关专家、学者、资深人士出席活动。

白杰先在致辞中感谢半年多来对矽能科技及其孵化企业给予大力支持和帮助的合作伙伴。白杰先指出，在今天的芯沙龙上，矽能科技孵化器的第一家入驻企业蓝矽科技将展示他们新研的功率产品，这是孵化器与蓝矽科技紧密合作的结果，孵化器以先进的“技术资源共享合作伙伴“模式，汇聚了众多知名的投资公司、代工厂、EDA企业，晶圆厂，研究机构等初创企业必需的资源，矽能免费为入驻的企业提供这些资源，大大降低了企业研发成本，缩短了研发时间，使企业得以顺利、快速研发出产品 。孵化器目前正在孵化的企业有六家，这些企业同样也正在享受矽能免费提供的各种服务，并在加速成长，他相信，在不远的未来，将会有越来越多的初创企业像蓝矽一样尝到胜利的果实。

成都矽能科技董事长David French在讲话中指出，成都矽能科技孵化器成立的目的就是通过整合中国、美国等全球半导体资源，带动中国功率半导体产业的发展，使中国成为全球功率半导体研发的重要国家。蓝矽科技是入驻矽能科技孵化器第一家企业，在孵化器的全面支持下，短短的半年中，蓝矽科技就研发出了新产品，值得庆贺，不但证明了矽能科技引入的入驻企业具有强大的实力，也证明了矽能科技的企业孵化方法是先进的企业培育模式。目前孵化器正按预定计划运行，各项进展都很顺利，未来矽能科技将孵化出更多优秀的企业。

蓝矽科技CEO 陈钧权、产品副总经理安慧涛、市场副总何均雄现场介绍了蓝矽科技的团队建设、价值理念、技术实力、发展战略以及新产品的性能、特点、优势与用途及市场销售策略等情况。蓝矽科技成立于2018年，是一家设立在矽能科技孵化器内的半导体设计公司，公司管理和研发团队来自中国、美国、新加坡等地，主要成员曾任职于TI、仙童、科锐、艾睿、飞利浦、中车等国内和国际知名公司，研发实力强大，聚焦于功率半导体领域的高科技公司，产品涉及硅基及SiC、GaN等宽禁带材料MOSFET和IGBT器件，模组，电源管理芯片及“一站式”电能转换与管理的解决方案。新一代BlueMOS器件在开发中充分运用了蓝矽科技开发人员多年积累的经验和新型开发思路，并在晶圆加工和器件封装方面进行了技术改进，由此降低了功耗和物料成本，减小了尺寸、大幅提高了功效和功率密度及产品应用方案设计的简洁度，与市场同类产品相比，优势明显，目前推出的量产品种主要是30V~150V的电压系列，每种产品有多款封装外形，可满足不同场合的需要。产品主要应用于电机驱动、电源管理、锂电池保护等功能部分，主打通讯、物联网、汽车、工业设备、家电等终端行业。蓝矽科技的企业愿景是在三年内成为国内领先的功率半导体公司，最终目标是成为全球前十的功率半导体公司。

发布会结束后，进行了“芯沙龙”讲座。电子科技大学功率集成技术实验室主任张波、成都旋极星源信息技术公司首席专家曾泽富、成都矽能科技有限公司总经理白杰先分别作演讲。

张波教授演讲的主题是《功率超结器件》，张波指出， 在功率器件开发中，击穿电压导通电阻这两个参数是一种矛盾的存在，上世纪80年代末期，高压功率MOS管的发展达到一个瓶颈，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，而无法再降低，高压硅器件的性能提升遭遇到了“天花板“，为了突破这一极限，许多新结构器件不断涌现，20世纪80年代末90年代初，一种新概念的提出打破了这种”天花板”，这一概念经过演化和完善之后，形成了”超结理论“，

超结（Super-Junction）金属氧化物场效应管是利用电荷平衡法（Charge Balance）可以 使 Rsp 与 BV 接近线性关系而不再是 2.5 指数关系。打破了传统功率 MOSFET 器件理论极， 被国际上誉为“功率 MOSFET 器件领域里程碑”。运用超结理论可同时得到低通态功耗和高开关速度。早期应用超结理论的典型产品是1998年德国西门子的英飞凌公司推出的”COOLMOSTM”器件，当时推出的”COOLMOSTM”产品的革命性突破在于：在其工作范围内，对于传统技术，在相同的芯片面积上，其导通电阻降低了80%-90%，打破了硅限，并且具有高开关速度。超结技术不仅是一种工艺，最重要的它还是一种结构，上世纪八、九十年代，欧美、中、日等国通过不同的方法提出了三种超结技术，并申请了专利，用到了产品实践。

超结结构已经成为半导体功率器件发展的 一个重要方向。使用高压大功率 MOSFET 时可减小前级驱动功率，减小器件工作时的自身消耗功率，电源变换效率优异，提高整机效率，节能降耗，更加环保。与传统的平面工艺高压功率 MOSFET 器件相比，高压超结功率 MOSFET 具有小尺寸、导 通电阻低、负载驱动能力强、功率器件温升小、可靠性等级高、工作寿命长的特点。在相同耐压的前提下，允许的工作频率更高，工作时栅极所需的工作电流小，在同等终端功率需求的条件下，可以使用封装外形更小的高压超结功率 MOSFET 器件，采用高压超结功率MOSFET器件生产的电源变换器能效大幅度提高，是全面替代传统平面工艺高压功率 MOSFET 器件的 一种先进结构器件。

张波在回答现场提问时表示，SiC、GaN等宽禁带半导体将是半导体发展的一个重要方向，综合考虑性能、成本、工艺等因素，在相当长的一段时间里，SiC、GaN等宽禁带半导体还没有完全取代传统硅基半导体，传统硅基半导体产品和新兴的SiC、GaN等宽禁带半导体应该是互相补充，共存发展的一种关系。

成都矽能科技有限公司总经理白杰先为大家介绍了由他亲手策划的半导体创业课程。白杰先先生是美国人，在中国已经25年了，他曾在IBM、软银、上海先进半导体等知名跨国公司担任高管，也曾亲手创办高瞻投资、高瞻咨询、乾龙投资等公司，拥有丰富的企业经营管理经验和最接地气的创业技巧理论。从这期“芯沙龙”开始，白杰先先生将倾情推出创业指导系列课程，毫不保留将自已多年积累的经验与知识分享给芯沙龙的听众，白杰先说，下半年芯沙龙的讲座内容将分为创业知识技能和半导体设计制造技术两大部分，创业知识技能部分确定的主题有从半导体初期企业投资知识和经验，创业阶段需要注意的法律事项及半导体IP保护、专利审请，从VC投资人的角度看半导体投资机会，PE投资在半导体企业初期发展中的作用，如何成功引入国家大基金和银行投资。半导体设计制造技术部分确定的主题有Tape-out &MPW流程、EDA工具的选择和使用、芯片封装测试技术、分立器件和IC可靠性测试、宽禁带半导体器件性能及制造工艺和应用。

成都旋极星源信息技术公司首席专家曾泽富，以《NB-IOT射频前端设计及测试》为题进行了演讲。曾泽富指出，

物联网已渗透到各行各业，万物互联时代正以极快的速度迈入我们的生活，NB-IOT是窄带物联网的意思，它以广覆盖、低功耗、大连接及低成本的优势成为物联网无线技术中最重要的技术，2018年末，NB-IOT基站规模已达110万个，到2025年NB-IOT基站规模预计将达300万个。

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