三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，预计2025年初到货。这意味着三星将正式加入与英特尔和台积电在下一代光刻技术商业化研发方面的竞争。

据报道援引消息人士称，三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，预计2025年初到货。这意味着三星将正式加入与英特尔和台积电在下一代光刻技术商业化研发方面的竞争。

据悉，ASML的High-NA EUV光刻机EXE:5000是一款先进的极紫外光刻设备，具有高数值孔径(NA)和8nm的分辨率，相较于之前的NXE系列光刻机，其分辨率显著提高。这款光刻机采用了0.55 NA的透镜，能够实现更精细的图案化，从而支持更小的物理特征尺寸。

根据此前相关资料，EXE:5000的设计使其能够每小时处理超过185片晶圆，相比NXE系列的产能有所提升。然而，目前的生产速度仅为每小时150片晶圆，预计到2026年左右将提升到每小时约200片晶圆。

EXE:5000光刻机预计将在2025年进入大规模生产阶段。目前，该设备已经向英特尔交付了首批模块，并且正在安装和测试中。继英特尔、台积电之后，三星也计划于2025年初引进首台EXE:5000光刻机。

三星此前已与比利时微电子研究中心imec合作，在后者与ASML联合建立的High NA EUV光刻实验室进行了初步探索。

从技术工艺和路线图规划来看，目前三星已经实现了3纳米制程的量产，并采用了GAA(环绕栅极)技术。然而，三星在良率方面仍面临挑战，未能完全超越台积电的FinFET技术。

三星计划在2025年量产2纳米制程，并逐步扩展到其他应用领域。比如，2025年首先用于行动领域，2026年扩展到高效能运算(HPC)应用，2027年再扩展至汽车领域。三星的2纳米制程节点采用了优化的背面供电网络技术，以降低供电电路对信号电路的干扰。

三星还计划将在2027年量产1.4纳米制程，需要进一步提升晶体管密度和性能。

然而，要实现以上技术目标，三星必须加入到与英特尔、台积电对ASML最新光刻设备的竞争中去。

不过，半导体设备安装通常需要较长测试时间。该光刻机预计最快2025年中旬开始运行。High-NA EUV为2纳米以下先进制程所需设备。韩国业界预期，三星也将正式启动1纳米芯片的商用化进程。

从引进High-NA EUV光刻机情况来看，英特尔已完成第二台High NA EUV光刻机安装;台积电的首个机台也将于今年内实现交付。此外，在存储领域，SK海力士的首台High NA EUV光刻机则有望2026年引入。