据光谷金控官微消息，近日，长飞先进武汉基地传来新进展。相关负责人介绍，该项目今年11月起设备就能进驻厂房，明年年初开始调试，预计5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。

据悉，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

长飞先进武汉基地已于今年6月主体封顶。按照原计划，项目将于2025年1月设备搬入，2025年7月量产通线，2026年年底达到满产。目前，项目进度提前了2个月。

长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹表示，第三代化合物半导体在新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域具有广阔的应用场景。我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场，发展第三代化合物半导体对于提升国际竞争力意义重大。长飞先进将持续加大研发投入力度，力争早日实现量产通线，将武汉基地打造成世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。