据《日经新闻》报道，日本NAND Flash大厂铠侠宣布，将在未来3年内，投资360亿日元（约合人民币16.75亿元），研发面向AI的下一代更省电的内存，目标在2030年代前半段实现商业化。而日本政府最高将提供50%的补贴。

铠侠指出，将研发基于CXL（Compute Express Link）的内存，和目前的DRAM相比，更省电；和现有的NAND Flash相比，读取速度更快。相较于DRAM在电力中断时、数据就会消失，CXL內存即便在断电时、也能保留大量数据，能降低AI驱动时的耗电量。

虽然目前铠侠是全球第三大NAND Flash芯片厂商，但是其并没有像三星、SK海力士、美光等竞争对手那样拥有丰富的面向AI的各类DRAM产品，因此铠侠希望通过研发下一代内存来改变目前仅有NAND Flash产品的尴尬局面。