近日消息，美光（Micron Technology）已率先获得英伟达对SOCAMM内存模组的量产批准。而三星和 SK海力士SOCAMM尚未获得英伟达认证。

据悉，美光在内存解决方案领域取得重大突破，成为英伟达下一代内存供应商，并且是全球首家同时出货HBM3E和SOCAMM产品的存储厂商。首批SOCAMM模块基于堆叠式LPDDR5X芯片，将用于英伟达即将推出的AI加速器平台Rubin。该平台计划于明年发布。

SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）是一种新型的内存模组，专为英伟达的AI超级计算机和高性能计算（HPC）平台设计。它基于LPDDR5X DRAM颗粒，具有更小的尺寸、更高的带宽、更低的功耗和更小的体积，适用于数据中心和AI计算场景。

与垂直堆叠并与图形处理器 (GPU) 紧密集成的HBM不同，SOCAMM支持中央处理器 (CPU)，并在优化 AI工作负载方面发挥关键支持作用。

该SOCAMM采用引线键合和铜互连技术，每个模块连接16个DRAM芯片，与HBM（高带宽内存）的硅通孔技术形成鲜明对比。这种铜基结构增强了散热性能，对于AI系统的性能和可靠性至关重要。

同时，美光SOCAMM是一种更紧凑的压缩附加内存模组，基于LPDDR5X DRAM芯片制造，尺寸为90mm×14mm，数据位宽为128bit。美光展示的产品由4颗16层堆叠的16Gb DRAM组成，总容量达到128GB，支持8533 MT/s数据速率。

美光在与英伟达合作开发SOCAMM的过程中，凭借其在LPDDR5X芯片上的低功耗设计和热管理能力，率先获得了量产批准。美光的SOCAMM模块不仅在性能上优于竞品，而且在能效方面也表现出色，比竞品节能约20%。这也许是其率先获英伟达量产认证的关键因素。

美光也宣布，其为英伟达人工智能芯片配套的HBM3E和SOCAMM已进入量产阶段并实现供货。

此外，美光还计划在2025年投入140亿美元用于资本支出，包括在新加坡、日本和纽约州新建HBM工厂，以进一步巩固其在高性能内存市场的地位。