6月16日，自北京大学重庆碳基集成电路研究院（下称“北大重庆碳基院”）获悉，国内首条碳基集成电路生产线近日在渝投运，目前已开始量产。

此次生产线的投运，标志着碳基集成电路从实验室创新向工程化应用迈出了坚实的第一步，将加快我国碳基集成电路发展进程，助力“中国芯”实现“换道超车”。

当前市场主流芯片为硅基芯片，是以硅为核心材料，但受摩尔定律的影响，硅基芯片的晶体管尺寸已接近极限。碳基芯片则采用碳纳米管等为核心材料制作，以求突破集成电路发展瓶颈。 

 据介绍，碳纳米管拥有超薄结构、优异电学性能和化学稳定性，综合性能可以比硅基集成电路提高成百上千倍，且具有成本低、功耗低等优势。同时，碳基芯片无需采用最先进的光刻工艺，其技术性能就能与当前最先进的硅基芯片相当。

 经过20多年攻关，北大碳基团队研发出一整套高性能碳纳米管晶体管的无掺杂制备方法，达到世界领先水平。基于此，2023年，北大重庆碳基院揭牌成立，致力于推动北大成果在渝转化，开展碳基集成电路工程化和产业化研究开发，孵化培育碳基集成电路全链条产业生态。 

 下一步，北大重庆碳基院将加快打造碳基集成电路制造示范线，开发更先进的28纳米碳基完整工艺平台，预计2028年投产后，年产晶圆10万片。