大半导体产业网消息，8月11日晚间，成都华微电子科技股份有限公司（下简称“成都华微”）自愿披露公告，宣布公司研发的超低功耗 RISC-VMCU 于近日成功发布。

公告显示，公司研发的HWD01001型超低功耗RISC-V MCU集成了公司自主设计的32位 RISC-V 内核，结合多层次低功耗设计技术，进而实现超低功耗性能。

该款 MCU 集成的 32 位 RISC-V 内核，采用 3 级流水设计，最高工作频率20MHz，支持硬件乘法和除法指令，在Standby  模式下可在 150us 内快速唤醒，待机功耗小于 1uA，内置 64KB eFlash，8KB SRAM  存储单元，工作电压1.8V~3.6V，支持提供丰富外设接口 USART x2、LPUART x1、SPI x1、I2C x1、CAN 2.0  x1，支持 12bits 1MSPS ADC 和 DAC，内置比较器，提供 QFN20（3mm x 3mm）和 QFN28(4mm x  4mm)多种封装形式。

成都华微表示，该款创新产品可广泛用于轻量化低功耗物联网终端设备、可穿戴设备、环境感知设备和工业监测设备等，为下游客户轻量化、低功耗、低延迟、小型化的需求提供了系统化的解决方案。