联电宣布推出全新的55nm BCD平台，为下一代移动设备、消费性电子、车用与工业应用实现更高的电源效率与系统整合，该平台针对电子产品电源管理需求优化而设计，实现更小的晶片面积、更低的功耗与卓越的抗杂讯表现，赋予电源电路设计更高的灵活度与可靠性。

BCD，全称Bipolar-CMOS-DMOS，是一项特色工艺技术，它能够在单一芯片上集成三种不同类型的元件：双极晶体管、CMOS逻辑器件和DMOS功率器件。这种集成能力使芯片设计人员可以将模拟、数字和电源管理功能整合在同一芯片上，如今在电源管理与混合信号集成电路等领域被广泛利用。

联电55nm BCD平台包含非外延/磊晶 (Non-EPI)、外延/磊晶 (EPI)、绝缘层上硅 (SOI) 三类制程，同时整合了超厚金属层（UTM）、嵌入式快闪记忆体（eFlash）与电阻式随机存取记忆体(RRAM)等技术，进一步提升晶片效能与系统整合弹性。

其中，非磊晶（Non-EPI）制程具备独特元件架构的高性价比方案，为移动及消费性装置提供优异的电源效率与性能；磊晶（EPI）制程，符合最严格的车规AEC-Q100 Grade 0标准，支援高达150V操作电压，提升在极端环境下车用电子的可靠性；绝缘层上覆硅（SOI）制程，符合车规AEC-Q100 Grade 1标准，具备卓越的抗杂讯特性、高速运作与超低漏电性能，非常适合高阶车用与工业使用。

在应用场景方面，联电 55nm BCD平台精准切入三大高增长赛道。汽车电子领域，针对新能源汽车车载 OBC（车载充电机）、DC-DC 转换器等部件对高效、高可靠功率芯片的需求，该平台可实现功率器件与控制电路的高度集成，减少元器件数量，降低车载系统的体积与重量，同时提升能源转换效率，助力新能源汽车续航里程提升；

工业控制领域，工业自动化设备中的伺服驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）等核心部件，长期面临 “高压驱动与精密控制难以兼顾” 的问题，该平台的混合信号集成能力可实现高压功率输出与低压信号处理的无缝协同，提升设备控制精度与运行稳定性；

消费电子领域，随着 65W 及以上快充技术的普及，快充芯片对高压耐受、低发热、小型化的要求日益严苛，55nm BCD 工艺的高集成度与低功耗优势，可帮助客户打造更小尺寸、更高能效的快充解决方案，契合消费电子轻量化、便携化的发展趋势。

联电技术研发副总经理徐世杰表示，55nm BCD平台的推出，是联电在BCD技术布局上的重要里程碑，更进一步完善特殊制程产品组合，强化在电源管理市场的竞争优势；虽然55nm BCD制程已在市场上量产多年，联电推出全新且全面的55nm BCD解决方案，具备卓越的元件特性，应用范围涵盖智能手机、穿戴式设备、车用、智慧家庭与智慧工厂等领域。

联电已建构业界最完整且成熟的BCD技术组合，制程节点横跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55nm，提供具差异化的解决方案，凭藉着能提供广泛的电压需求、丰富的IP资源与完善的设计支援，加速客户产品开发时程，强化在智慧电源与混合讯号市场的竞争力。