近日，厦门火炬高新区企业瀚天天成依托研发团队的自主技术攻坚，成功开发出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶圆。这一突破不仅能显著提高下游功率器件的生产效率，更将大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本，为碳化硅产业规模化、低成本应用奠定关键基础。

第三代半导体碳化硅比第一代硅半导体拥有更优的高频、高压、高温能力，能够实现系统更低的能耗、更小的体积和重量，被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、AI电源、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。

据悉，相较于当前主流的150mm（6英寸）碳化硅外延晶圆，以及尚处产业化推进阶段的200mm（8英寸）晶圆，300mm（12英寸）晶圆凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升——较6英寸晶圆提升至4.4倍，较8英寸晶圆提升至2.3倍。

目前，瀚天天成已启动12英寸碳化硅外延晶圆的批量供应筹备工作。产品在关键性能指标上表现优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。