10月8日讯，据媒体报道，中国目前使用的半导体仅16％在中国生产，当中只有一半由中国企业制造，比例相当低。按政府计划，中国希望2020年生产40％自用半导体，2025年提高至70％，务求尽快摆脱美国制肘。

大部份中国芯片股自贸易战开打以来，虽录不同程度跌幅，但从上述角度考虑，行业长远受惠国策支持。其中，有约两成收入来自华为的中芯国际，自中美爆贸战以来一度下跌37％，但今年首九个月累升43％，已收复大部份贸易战后导至的失地。

中国半导体自给率明年有望达40%，2025年将提升至七成

技术突破，几乎成了近年来经济发展的主旋律。无论是5G技术、量子技术、半导体技术，还是IoT物联网、金融科技创新……一大批尖端技术的突破，既为经济发展注入新的活力，也成为刺激资本市场上科技板块股票上涨的重要因素。

恰如近段时间以来，由于“在先进制程的研发快于预期构成利好”，中芯国际（00981－HK）未来预期收入有望实现快速增长。而受此影响，中芯国际股价同样呈现出持续上涨的态势，并创下自2018年6月份以来的新高。

不仅如此，随着未来的5G、智能手机、物联网终端技术等领域的快速发展，相关行业对于高端芯片的需求量将会持续增加。提升国产芯片的自给率，其意义不言而喻。

事实上，在14nm逐渐步入量产，并着手推进扩大产能的同时，2019年二季度的企业财报中同时透露：第一代FinFET技术进入风险量产，第二代FinFET N＋1技术平台也已经开始进入客户导入，中芯国际将与客户保持长远稳健的合作关系。

持续引进人才，技术创新，国产7nm芯片或为期不远

而在此前，在中芯国际2019年一季度财报信息披露中，梁孟松博士就曾经披露12nm已经进入客户导入阶段，并表示更新一代FinFET工艺研发进度喜人，相关研发进程非常顺利。

在12nm制程工艺后的新一代FinFET工艺研发？究竟是10nm，还是更高级别，当下国际顶尖的7nm芯片先进制程工艺？从研发进度来看，中芯国际越过20nm等级，直接由28nm过渡到14nm，也不能排除从12nm直接跃进到7nm的可能。

而另一件事情似乎可以佐证这种由12nm直接跃进到7nm的猜想。根据中国产业经济信息网披露，2018年年中，中芯国际耗资1．2亿美元，向荷兰ASML公司订购了亿台EUV极紫外光刻机，而这种设备通常用来7nm级别先进制程工艺的研发使用。

其实，无论新一代FinFET工艺研发级别是10nm，还是7nm，都是国内芯片代工生产技术的突破，而翘首期盼的国产7nm越来越近，或已是为期不远。

自2000年中芯国际成立，到现如今14nm制程工艺的量产化，12nm制程工艺进入到客户导入阶段，不到20年的时间，中芯国际从0到1，又不断提升技术水平，可谓成绩斐然。

值得注意的是，中芯国际14nm工艺的研发成功与企业近年来持续引进人才密切相关。

2017年，有着丰富芯片制程工艺研发经验的梁孟松加入中芯国际；2018年8月9日，梁孟松研发团队宣布14nm工艺取得重大突破。这距离梁孟松加入中心国际也不过是298天，换

言之，不到300天的时间，中芯国际技术工艺完成了代差性的跨越。