11月10日，温州芯生代科技有限公司隆重发布了850V Cynthus®系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延，有助于帮助GaN HEMT功率器件拓展氮化镓在汽车主驱等高压应用领域。据悉，芯生代科技的850V氮化镓外延片具有以下几个特点和优势：成本可降低70%，远低于硅外延片；采用场板或其他手段，将可用电压提高到900V，甚至1200V；外延厚度仅5.33μm即可实现850V的安全工作电压；单位厚度垂直击穿电压为158V/μm，误差小于1%；外延电流密度大于100mA/mm，国内首家。