据中科重仪半导体科技有限公司官微消息，近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。这意味着电力电子方向的功率型氮化镓外延片生产将摆脱进口依赖，完全实现自主可控。

中科重仪依托先进的研发和产业化基地，专注于第三代半导体大尺寸硅基氮化镓外延片研发与制造，致力于为电力电子领域提供高质量氮化镓材料解决方案。据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2、2DEG迁移率大于2000 cm2/Vs，片内与片间不均匀性小于1%，可以满足电力电子领域功率器件开发与应用需求，在实现氮化镓外延片生产成本大幅降低的同时摆脱了对进口设备的依赖。