近日，北京大学崔家玮、魏进团队在2023 IEDM大会上发表了《具有超低动态电阻的6500V 有源钝化氮化镓p型栅高电子迁移率晶体管》论文。

论文提及，该团队已成功研发增强型p 型栅GaN晶体管，并首次在高达 4500V 工作电压下实现低动态电阻工作能力。

据悉，该研究人员是在 GaN 功率器件的表面引入新型有源钝化结构，在蓝宝石衬底成功制备具有该结构的新型器件，使用该结构所制备的器件击穿电压得到大幅度提升，实现大于 6500V 的耐压能力。