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SiC与GaN两开花,英飞凌牵手2大知名厂商

  1. 来源:成都岷山功率半导体技术研究院
  2. 发布时间:2024-1-29
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近日,继SK Siltron CSS、富特科技之后,英飞凌再与安克创新、盛弘电气两大知名厂商达成合作。


通过最新的两项合作,英飞凌同时在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)领域迎来了新进展。其中,盛弘电气将与英飞凌围绕SiC功率器件携手合作。


英飞凌将为盛弘电气提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件、EiceDRIVER紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC等产品。据称,采用英飞凌上述产品后,盛弘电气储能变流器系统效率可达98% , 比传统的解决方案效率提升了1%,能够更好地满足海内外市场并网和离网运行的储能应用需求。这有助于盛弘电气增强产品竞争力,提高客户信任度。


另外,近日英飞凌宣布与安克创新(Anker Innovations)在深圳联合成立创新应用中心。该应用中心已于2023年12月底正式揭牌并投入使用。据悉,该中心将基于英飞凌新一代混合反激式(HFB)控制器产品系列和用于100 W以上快充充电器的CoolGaN IPS产品系列进行开发,为市场提供更高功率密度与高能效的PD快充解决方案。


此前,安克创新已在2022年推出了采用英飞凌CoolGaN技术的100W 以上快充产品,通过联合成立创新中心,英飞凌和安克创新将进一步深化合作,加速产品研发,从而更好地将英飞凌GaN技术引入快充领域。

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