在积塔半导体和安建半导体达成双边合作之后，两家厂商近日又与意法半导体共同达成了三方合作意向。

2024年1月23日，安建半导体董事长单建安教授与积塔半导体执行董事张汝京博士、总经理周华博士一同到访位于瑞士日内瓦的意法半导体STM集团总部，意法半导体事业部总监 Mr.Sebastien Leveque进行了接待。

会谈中，三方对未来的合作机会进行了讨论，互相交换见解，确认了后续的合作方向。三方一致认同在功率半导体领域有着广阔多面的合作空间，尤其是第三代半导体碳化硅（SiC）MOSFET的新技术突破、沟槽栅等新工艺开发、以及全球高端应用市场开拓等，三方将共同逐步推进多个合作项目的评估和实施。

据悉，2023年12月28日，张汝京博士和周华博士曾到访安建半导体，双方就加速完成安建在积塔代工的平面型SiC MOSFET器件开发、携手迈进新一代沟槽型SiC MOSFET器件开发等合作内容达成一致。

在SiC器件方面，积塔半导体早在2020年就布局了业内领先的6英寸SiC产线，目前已覆盖JBS和MOSFET等，建成了自主知识产权的车规级650V/750V/1200V SiC JBS工艺平台和650V/750V/1200V SiC MOSFET工艺平台。

从积塔半导体与安建半导体合作情况来看，双方开发项目将由平面型SiC MOSFET器件转向沟槽型SiC MOSFET器件，而本次意法、积塔、安建三方达成合作，也聚焦SiC MOSFET沟槽栅等新工艺开发，或与沟槽型SiC MOSFET器件优势有关。

据了解，量产沟槽型SiC MOSFET器件的厂商普遍认为，相比平面型结构，沟槽型SiC MOSFET在成本和性能方面都具有较强优势。罗姆是率先转向沟槽型SiC MOSFET的公司，而英飞凌并没有选择进入平面结构市场，而是直接选择了沟槽结构，此外，电装的沟槽型SiC MOSFET也已正式商用。