近日，中宜创芯公司实验室成功生长出河南省第一块8英寸SiC单晶晶锭，验证了该公司SiC半导体粉体在长晶方面的优势，标志着河南省SiC半导体技术进入国内主流行列。

据介绍，中宜创芯利用国内外先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术组织研发生产，具有单炉产能大、颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，更适合8英寸SiC厚单晶晶锭的生长。