三星电子周二表示，它已经开发出一种新型高带宽存储芯片，该芯片具有业界“迄今为止最高的容量”。

这家韩国芯片巨头声称 HBM3E 12H“将性能和容量提高了 50% 以上”。

三星电子内存产品规划执行副总裁 Yongcheol Bae 表示：“业界的 AI 服务提供商越来越需要更高容量的 HBM，而我们的新 HBM3E 12H 产品旨在满足这一需求。”

Bae 表示：“这种新的内存解决方案是我们开发高堆栈 HBM 核心技术并为人工智能时代的高容量 HBM 市场提供技术领先地位的努力的一部分。”

三星电子是全球最大的动态随机存取存储器芯片制造商，该芯片用于智能手机和电脑等消费设备。

OpenAI 的 ChatGPT 等生成式 AI 模型需要大量高性能存储芯片。此类芯片使生成式人工智能模型能够记住过去对话和用户偏好的细节，以便生成类似人类的响应。

人工智能的繁荣继续推动芯片制造商的发展。美国芯片设计公司英伟达由于对其图形处理单元的需求猛增，第四财季收入增长了265%，其中数千个图形处理单元用于运行和训练 ChatGPT。

英伟达首席执行官黄仁勋在与分析师的电话会议上表示，该公司可能无法全年保持这种增长或销售水平。

“随着人工智能应用呈指数级增长，HBM3E 12H 有望成为未来需要更多内存的系统的最佳解决方案。其更高的性能和容量尤其使客户能够更灵活地管理其资源并降低数据中心的总拥有成本。”三星电子表示。

三星表示，已开始向客户提供芯片样品，HBM3E 12H 计划于 2024 年上半年量产。

大和证券执行董事 SK Kim 向 CNBC 表示：“我认为这一消息将对三星股价产生积极影响。”

“去年，三星在 Nvidia 的 HBM3 方面落后于 SK Hynix。另外，美光昨天宣布量产24GB 8L HBM3E。我认为它将确保 Nvidia 在基于更高层 (12L) 的更高密度 (36GB) HBM3E 产品方面的领先地位。”

据《韩国经济日报》援引匿名行业消息人士的报道，今年 9 月，三星达成了一项向 Nvidia 提供HBM 3 芯片的协议。

报道还称，韩国第二大存储芯片制造商SK海力士在高性能存储芯片市场处于领先地位。报道称，SK 海力士此前被称为向 Nvidia 供应 HBM3 芯片的唯一量产商。

三星表示，HBM3E 12H具有12层堆叠，但采用先进的热压非导电薄膜，使12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前的HBM封装要求。其结果是芯片具有更强的处理能力，而不增加其物理占用空间。

三星表示：“三星不断降低其 NCF 材料的厚度，实现了业界最小的芯片间隙（7 微米 (μm)），同时还消除了层间空隙。”与 HBM3 8H 产品相比，这些努力使垂直密度提高了 20% 以上。”

原文链接：

https://www.cnbc.com/2024/02/27/samsung-unveils-new-memory-chip-with-highest-capacity-to-date-for-ai.html