新闻资讯

TI氮化镓工艺转向8英寸,两大工厂将转型

  1. 来源:今日芯闻
  2. 发布时间:2024-3-5
  3. 浏览次数:343

The Elec 3月5日报道,模拟芯片巨头德州仪器 (TI) 韩国董事Shin Ju-yong于5日表示,该公司正在将其GaN生产工艺从6英寸转变为8英寸。Shin表示,人们普遍认为GaN芯片的成本高于SiC芯片,但如今价格已经逆转,GaN芯片现在更便宜。


他强调,“TI之前通过6英寸工艺生产GaN芯片。我们正在将达拉斯工厂转变为8英寸工艺,目标是到2025年。日本会津晶圆厂现有的硅基8英寸生产线,正在转换为GaN芯片生产线,很难透露转换的时间。”


图片

图源:The Elec


业界分析称,TI的工艺转型可能会导致GaN芯片价格下降。此前,TI将其电源管理芯片(PMIC)生产从8英寸工艺转向12英寸工艺,这也对全行业降价产生了影响。一位业内人士解释说,“如果将6英寸的生产工艺转为8英寸,有可能降低生产成本10%以上。”


Copyright © 2019-2020 成都市集成电路行业协会 版权所有

四川省成都市高新区和乐二街171号AI创新中心B6栋2单元8楼 协会电话:028-85217606

技术支持:成都兰迪科技

蜀ICP备19016507号-1