TI氮化镓工艺转向8英寸,两大工厂将转型
The Elec 3月5日报道,模拟芯片巨头德州仪器 (TI) 韩国董事Shin Ju-yong于5日表示,该公司正在将其GaN生产工艺从6英寸转变为8英寸。Shin表示,人们普遍认为GaN芯片的成本高于SiC芯片,但如今价格已经逆转,GaN芯片现在更便宜。
他强调,“TI之前通过6英寸工艺生产GaN芯片。我们正在将达拉斯工厂转变为8英寸工艺,目标是到2025年。日本会津晶圆厂现有的硅基8英寸生产线,正在转换为GaN芯片生产线,很难透露转换的时间。”
图源:The Elec
业界分析称,TI的工艺转型可能会导致GaN芯片价格下降。此前,TI将其电源管理芯片(PMIC)生产从8英寸工艺转向12英寸工艺,这也对全行业降价产生了影响。一位业内人士解释说,“如果将6英寸的生产工艺转为8英寸,有可能降低生产成本10%以上。”

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