3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。


镓仁半导体表示，基于上述成果，其也成为了国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。


据介绍，镓仁半导体是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。